湖南三安点亮中国首条碳化硅垂直整合生产线

　　6月23日上午，位于长沙高新产业园区的湖南三安半导体正式点亮投产。

　　湖南三安半导体总投资160亿元，规划用地面积约1000亩，自2020年7月破土动工，历时不到一年，一座从碳化硅晶体生长到功率器件封测的全产业链现代化生产基地，月产30,000片6寸碳化硅晶圆的超级工厂落成并投产。

　　湖南三安半导体产业园项目正式点亮。

　　湖南三安半导体产业园项目点亮仪式现场。

　　点亮仪式上，三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示，湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，打造了国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，为客户提供高品质准时交付，兼具规模化生产成本优势。

　　湖南省委副书记、省长毛伟明对湖南三安半导体的正式投产表示祝贺，湖南三安半导体的落成及投产，为长沙注入强“芯”剂，将进一步加快长沙集成电路和电子信息产业的聚集与发展。据悉，湖南三安半导体预计将实现年销售额120亿元，年贡献税收17亿元，提供数千个就业岗位，并带动周边配套产业近万就业机会。

　　立足华中，服务全球，加速电源变换领域普及宽禁带半导体

　　第三代半导体材料具有优越的电气性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频的新要求。湖南三安半导体通过大规模生产，以及自有碳化硅材料制备专利，可以广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等领域，共同实现宽禁带半导体器件的普及。

　　打造研发制造服务平台型公司，支持高新产业在湘开枝散叶

　　湖南三安半导体是中国首条碳化硅垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成以长沙高新园区为中心的宽禁带半导体产业聚落，加速上游IC设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期，推动产业链繁荣发展。

　　用材料创新推动技术变革，助力2060碳中和愿景达成

　　在迈向碳中和的道路上，人们需要更高效的清洁能源。第三代半导体材料以其优异电性能特性，帮助电源变换系统实现优异的功率密度和，的系统效率，使其在新能源汽车、光储充等场景中发挥关键作用。作为公司长期可持续发展战略的一部分，公司会持续投入加速布局，致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体制造和服务平台。