罗姆的EcoGaN™被村田制作所的AI服务器电源采用

～650V耐压、TOLL封装的GaN HEMT有助于进一步提高电源效率～

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服务器电源采用。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能，助力Murata Power Solutions的AI服务器5.5kW输出电源单元实现小型化和高效率工作。预计该电源单元将于2025年开始量产。

近年来，随着AI（人工智能）和AR（增强现实）等在IoT领域的发展，数据通信量在全球范围内呈现持续增加趋势。其中，据说使用AI进行一次查询所消耗的电量比普通的网页搜索要高数倍，这就迫切需要为处理这些查询的高速运算设备等供电的AI服务器电源进一步提高效率。另一方面，具有低导通电阻和高速开关特性的GaN器件因其有助于电源的高效率工作和外围元器件（如电源电路中使用的电感器等）的小型化而备受瞩目。

Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：“很高兴通过使用罗姆的GaN HEMT，使我们能够设计出具有更高效率和更高功率密度的AI服务器电源单元。利用GaN HEMT的高速开关工作、低寄生电容以及零反向恢复特性，可将对开关损耗的影响控制到最小，还可提高开关转换器的工作频率并削减磁性元器件的尺寸。罗姆的GaN HEMT在性能方面非常具有竞争力，且可靠性也很高，用在我们的AI服务器5.5kW输出电源单元中，取得了非常好的效果。未来，我们将通过继续与在功率半导体领域优势显著的罗姆合作，努力提高各种电源的效率，为解决电力供需紧张的社会课题贡献力量。”

罗姆 LSI事业本部 Power Stage产品开发部 部长 山口雄平表示：“罗姆的EcoGaN™能够被电源领域的全球，Murata Power Solutions的AI服务器电源单元采用，深感荣幸。这次采用的GaN HEMT具有行业先进的开关性能，而且使用的是散热性优异的TOLL封装，有助于Murata Power Solutions的电源单元实现更高功率密度和更高效率。另外，在“通过电子产品为社会做贡献”方面，Murata Power Solutions与罗姆的经营愿景一致，我们希望未来也继续与村田制作所合作，双方共同促进电源的小型化和效率提升，并为人们丰富多彩的生活贡献力量。

关于Murata Power Solutions的AI服务器电源单元

Murata Power Solutions的AC-DC电源“1U前端”系列包括高功率密度Short Version的M-CRPS封装3.2kW电源“D1U T-W-3200-12-HB4C”（输出12V版）和“D1U T-W-3200-54-HB4C”（输出54V版） ，另外还新增了AI服务器用的5.5kW“D1U67T-W-5500-50-HB4C”等产品。Murata Power Solutions的前端电源的转换效率很高，可以满足80 Plus Titanium和开放计算产品的最严格要求；还支持N+M冗余工作，可提高系统的可靠性，因此也适合为，的GPU服务器供电。不仅能够为服务器、工作站、存储系统和通信系统提供可靠性高且效率高的电力，而且其低矮的1U尺寸还有助于削减系统面积。

关于罗姆的EcoGaN™

EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

与本文有关的罗姆官网页面

・关于650V耐压的TOLL封装GaN HEMT（2025年2月发布时的新闻稿）

・关于罗姆的GaN功率器件（EcoGaN™产品介绍）

关于村田制作所

村田制作所是一家全球综合电子元器件制造商，主要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、生产和销售。致力于通过自主开发并积累的材料开发、流程开发、产品设计、生产技术、以及支持它们的软件和分析、评估等技术基础，村田制作所创造出独具创新的产品，为电子社会的发展做出贡献。

关于罗姆

罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。

在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。